HXY120N03NF
N沟道增强型MOSFET,电流:120A,耐压:30V
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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,额定电压30V,提供高达120A的连续电流处理能力。专为高功率密度应用设计,如电源转换、电机驱动及电池管理系统,实现卓越的散热性能与高效能表现。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY120N03NF商品编号
C3033447商品封装
DFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.4mΩ@10V,30A | |
功率(Pd) | 187W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 56.9nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.345nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 225pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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