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HXY120N03NF
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，提供高达120A的连续电流处理能力。专为高功率密度应用设计，如电源转换、电机驱动及电池管理系统，实现卓越的散热性能与高效能表现。
- 商品型号
- HXY120N03NF
- 商品编号
- C3033447
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |