HXY50N04NF
N沟道增强型MOSFET,电流:50A,耐压:40V
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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,额定电压40V,连续电流可达50A。适用于高效率电源转换、电机驱动及电池管理系统,具备出色的散热性能与紧凑尺寸,是现代电子产品理想的小型化、高性能解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY50N04NF商品编号
C3033451商品封装
DFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.123克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,30A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.54nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 115pF | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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