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HXY50N04NF

环保标识
  • N沟道增强型MOSFET,电流:50A,耐压:40V

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,额定电压40V,连续电流可达50A。适用于高效率电源转换、电机驱动及电池管理系统,具备出色的散热性能与紧凑尺寸,是现代电子产品理想的小型化、高性能解决方案。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    HXY50N04NF
  • 商品编号

    C3033451
  • 商品封装

    DFN-8L(5x6)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.123克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,30A
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)24nC
输入电容(Ciss@Vds)1.54nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)115pF
工作温度-55℃~+175℃

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