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HXY50N04NF
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压40V，连续电流可达50A。适用于高效率电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的散热性能与紧凑尺寸，是现代电子产品理想的小型化、高性能解决方案。
- 商品型号
- HXY50N04NF
- 商品编号
- C3033451
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HXY30N06NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V
- ID = 30A
- RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源