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HXY30N06DF
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有紧凑尺寸与高效能特点。额定电压60V，连续电流高达30A，适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统等应用场合，实现小体积、大电流的优质半导体解决方案。
- 商品型号
- HXY30N06DF
- 商品编号
- C3033462
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58.5pF |
商品概述
HXY30N06DF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 40mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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