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HESDUC3V3U4EF-A
4路 单向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：4A
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- 描述
- 这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管适用于4通道保护，具备3.3V高精度VRWM耐压，有效避免过电压损坏。器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP高达4A，并具有超低结电容CJ为0.5pF，确保在提供出色ESD防护的同时维持高速信号传输的卓越品质，是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
- 商品型号
- HESDUC3V3U4EF-A
- 商品编号
- C3033479
- 商品封装
- DFN2510-10L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 8V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 击穿电压(VBR) | 5.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 四路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.6pF |
商品概述
HESDUC3V3U4EF - A 是一款 4 通道超低电容轨钳位 ESD 保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负 ESD 电流导向正或负轨。在正负电源轨之间集成了一个齐纳二极管到阵列中。在典型应用中，负轨引脚（指定为 GND）与系统接地相连。正 ESD 电流通过 ESD 二极管和齐纳二极管导向地，正 ESD 电压被钳位到齐纳电压。封装为 DFN2510 - 10L。
商品特性
- 4 通道 ESD 保护
- 提供符合 IEC61000 - 4 - 2 4 级的 ESD 保护
- ±15kV 空气放电
- ±10kV 接触放电
- 通道 I/O 到 GND 电容：最大 0.55pF
- 通道 I/O 到 I/O 电容：最大 0.6pF
- 低钳位电压
- 低工作电压
- 改进的齐纳结构
- 优化的封装便于高速数据线 PCB 布局
- 符合 RoHS 标准且无卤