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HXY50P02DF
P沟道增强型MOSFET,电流:-50A,耐压:-20V
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有高效能与紧凑设计。额定电压20V，连续电流高达50A，适用于电源转换、负载控制和电池管理系统，为现代电子设备提供卓越的功率处理能力及空间优化方案。
- 商品型号
- HXY50P02DF
- 商品编号
- C3033460
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY3012GD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 24mΩ
- VDS = -30V，ID = -20A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 40mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- TO-252-4L
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET