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HXY30N03DF

环保标识
  • N沟道,电流:30A,耐压:30V

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装,额定电压30V,连续电流高达30A。专为高效能、小体积电路设计,适用于电源转换、负载切换以及电池管理系统等应用,提供卓越的功率密度和稳定性,满足现代电子产品的小型化需求。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    HXY30N03DF
  • 商品编号

    C3033461
  • 商品封装

    DFN-8L(3x3)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.066克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13mΩ@10V,10A
功率(Pd)20W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.2nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)572pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)65pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

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