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HXY30N03DF
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，额定电压30V，连续电流高达30A。专为高效能、小体积电路设计，适用于电源转换、负载切换以及电池管理系统等应用，提供卓越的功率密度和稳定性，满足现代电子产品的小型化需求。
- 商品型号
- HXY30N03DF
- 商品编号
- C3033461
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY80N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V
- 漏极电流ID = 55A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源