HXY30N03DF
N沟道,电流:30A,耐压:30V
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描述
本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装,额定电压30V,连续电流高达30A。专为高效能、小体积电路设计,适用于电源转换、负载切换以及电池管理系统等应用,提供卓越的功率密度和稳定性,满足现代电子产品的小型化需求。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY30N03DF商品编号
C3033461商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.066克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@10V,10A | |
功率(Pd) | 20W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 572pF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 65pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
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折扣价
原价
折合1圆盘
5+¥0.422025¥0.5627
50+¥0.342¥0.456
150+¥0.302025¥0.4027
500+¥0.272025¥0.3627
2500+¥0.236025¥0.3147
5000+¥0.224025¥0.2987¥1493.5
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
390
SMT仓
0
购买数量(5000个/圆盘,最小起订量 5 个 )
个
起订量:5 个5000个/圆盘
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