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HXY304DF
2个N沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 描述
- 这款消费级N+N沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，额定电压为30V，连续电流高达20A。适用于双通道电源转换、负载共享及电池管理系统等应用场合，凭借小巧尺寸与高效能表现，实现现代电子设备的紧凑化和节能需求。
- 商品型号
- HXY304DF
- 商品编号
- C3033454
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品特性
- 栅源电压VGS = 10 V时，导通状态电阻RDS(ON) ≤ 26 mΩ（典型值19 mΩ）
- 栅源电压VGS = 4.5 V时，导通状态电阻RDS(ON) ≤ 32 mΩ（典型值23 mΩ）
- 栅源电压VGS = 2.5 V时，导通状态电阻RDS(ON) ≤ 50 mΩ（典型值30 mΩ）
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理