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HXY50P03DF
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，额定电压30V，具备高达50A连续电流处理能力。专为高功率密度应用设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统中，实现卓越能效与空间节省。
- 商品型号
- HXY50P03DF
- 商品编号
- C3033458
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |