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HXY3419DF
P沟道增强型MOSFET,电流:-32A,耐压:-30V
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，额定电压为30V，最大连续电流高达32A。专为高效能、小体积电源转换、负载开关及电池管理系统设计，具备出色的热性能与低导通电阻，实现现代电子产品的小型化与节能需求。
- 商品型号
- HXY3419DF
- 商品编号
- C3033459
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 非常适合用作负载开关