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HXY30G20DF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- 本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道，额定电压30V，连续电流16A。专为小型化、高效率电源转换与负载控制设计，适用于电池管理系统等应用场景，提供出色的能效比及空间节省方案。
- 商品型号
- HXY30G20DF
- 商品编号
- C3033456
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF@24V | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF@24V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
HXY100N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源