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HXY50P03NF
P沟道增强型MOSFET,电流:-50A,耐压:-30V
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET封装于DFN5X6-8L，具备30V额定电压及50A连续电流能力。专为高效电源转换、负载切换与电池管理系统设计，以紧凑尺寸实现卓越的功率处理性能，满足现代电子设备对能效和空间利用率的需求。
- 商品型号
- HXY50P03NF
- 商品编号
- C3033457
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
CJU40P04A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
~~- 先进的沟槽工艺技术-可靠耐用-高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理-便携式设备和电池供电系统