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HESDNC3V3B1AF-A
1路双向ESD
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描述
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于3.3V系统，提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件，保护电路不受损害。仅15pF结电容确保高速数据线路上信号完整性良好，是现代便携式与高集成度电子设备的理想低电容ESD解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HESDNC3V3B1AF-A商品编号
C3033476商品封装
DFN1006-2L包装方式
编带
商品毛重
0.002克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 最大钳位电压 | 7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 9A | |
| 击穿电压 | 6.5V | |
| 通道数 | 单路 | |
| 类型 | ESD |
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