HXY30P02DF
1个P沟道 耐压:20V 电流:30A
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描述
本款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，额定电压20V，连续电流高达30A。专为高效、紧凑型电源转换、负载开关控制以及电池管理系统设计，提供低导通电阻和卓越的热性能，满足现代电子设备的小型化需求。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY30P02DF商品编号
C3033465商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@4.5V,10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.8nF@15V |
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