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HXY30P02DF
1个P沟道 耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，额定电压20V，连续电流高达30A。专为高效、紧凑型电源转换、负载开关控制以及电池管理系统设计，提供低导通电阻和卓越的热性能，满足现代电子设备的小型化需求。
- 商品型号
- HXY30P02DF
- 商品编号
- C3033465
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
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