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HXY80N03DF
N沟道增强型MOSFET,电流:80A,耐压:30V
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度和散热性能。额定电压为30V，连续电流高达80A，适用于空间有限的高功率应用，如电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的能效与可靠性。
- 商品型号
- HXY80N03DF
- 商品编号
- C3033455
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 4V 栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 400mΩ（最大值）（平均值 = -4.0V）；RDS(ON) = 300mΩ（最大值）（VGS = -10V 时）
应用领域
- 电源管理开关