温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXY70N03NF
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达70A。适用于高效电源转换、电机驱动和电池管理系统，凭借其卓越的功率密度与散热性能，满足现代电子设备对高电流处理能力的需求。
- 商品型号
- HXY70N03NF
- 商品编号
- C3033453
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
HXY50N04NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源