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HXY30N06NF
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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描述
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压60V，连续电流30A。适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供高效能与紧凑设计，是现代电子设备实现高功率密度的理想半导体器件选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY30N06NF商品编号
C3033450商品封装
DFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.378nF@15V |
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