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HXY30N06NF
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压60V，连续电流30A。适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供高效能与紧凑设计，是现代电子设备实现高功率密度的理想半导体器件选择。
- 商品型号
- HXY30N06NF
- 商品编号
- C3033450
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |