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HXY100P03NF
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达100A。专为高效电源转换、大电流负载开关及电池管理系统设计，具有出色的散热性能与功率密度，满足现代电子设备的高性能需求。
- 商品型号
- HXY100P03NF
- 商品编号
- C3033448
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |