HXY100P03NF
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
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描述
此款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达100A。专为高效电源转换、大电流负载开关及电池管理系统设计，具有出色的散热性能与功率密度，满足现代电子设备的高性能需求。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY100P03NF商品编号
C3033448商品封装
DFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.45nF@25V |
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