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HXY6020GD
双通道N沟道/P沟道增强模式MOSFET,电流:20A,耐压:60V
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- 描述
- 本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，具备60V高耐压及强大的20A电流处理能力。专为中高压双极性电源转换应用设计，广泛应用于各类消费电子产品，实现高效能、低损耗的电路控制与优化。
- 商品型号
- HXY6020GD
- 商品编号
- C3033443
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
HXY150N03NF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ（VGS = 10 V）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源