HXY50N03DF
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，连续电流高达50A，特别适合于紧凑空间内的高效电源转换、负载开关控制以及电池管理系统等应用场合，提供卓越的性能与可靠性。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY50N03DF商品编号
C3033446商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.317nF@15V |
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