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HXY50N03DF
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，连续电流高达50A，特别适合于紧凑空间内的高效电源转换、负载开关控制以及电池管理系统等应用场合，提供卓越的性能与可靠性。
- 商品型号
- HXY50N03DF
- 商品编号
- C3033446
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@24V | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF@24V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HXY4812S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源