温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXY20P06DF
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，额定电压60V，连续电流高达20A。专为现代紧凑型电子设备设计，适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，提供卓越的能效比与空间利用率。
- 商品型号
- HXY20P06DF
- 商品编号
- C3033449
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |