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HXY4012GD
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- 本款消费级N+P沟道MOSFET封装为TO-252-4L，额定电压40V，提供高效稳定的20A电流处理能力。专为中低压环境下双极性电源转换设计，广泛应用于各类消费电子产品，实现卓越的能效和系统稳定性。
- 商品型号
- HXY4012GD
- 商品编号
- C3033442
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |