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HXY60N03D
耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，具备60A大电流处理能力，专为高功率、高效能的电源转换与电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能及低损耗特性。
- 商品型号
- HXY60N03D
- 商品编号
- C3033439
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |