HXY70P03D
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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描述
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,拥有30V工作电压和高达70A的大电流处理能力。专为高性能、高负载消费电子产品设计,实现卓越的开关效率与稳定性,是在低压环境优化电源管理的理想半导体器件选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY70P03D商品编号
C3033440商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.27克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 70A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,20A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.45nF@25V |
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