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HXY70P03D
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有30V工作电压和高达70A的大电流处理能力。专为高性能、高负载消费电子产品设计，实现卓越的开关效率与稳定性，是在低压环境优化电源管理的理想半导体器件选择。
- 商品型号
- HXY70P03D
- 商品编号
- C3033440
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HXY50N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 35A
- RDS(ON) < 10mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源