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HXY60N02D
N沟道 20V 60A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有20V额定电压及高达60A连续电流承载能力，专为高电流应用设计，如电源转换、大功率电机驱动等场合，提供高效能、低阻抗的开关控制解决方案。
- 商品型号
- HXY60N02D
- 商品编号
- C3033437
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |