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HXY50P02D
1个P沟道 耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备20V工作电压及高达50A的大电流处理能力。专为低压、高电流应用的消费电子产品设计，提供卓越开关性能与能效表现，是优化电源转换和系统稳定性的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- HXY50P02D
- 商品编号
- C3033438
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HXY4822S采用先进的沟槽工艺，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源