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HXY50P02D
1个P沟道 耐压:20V 电流:50A
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描述
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备20V工作电压及高达50A的大电流处理能力。专为低压、高电流应用的消费电子产品设计，提供卓越开关性能与能效表现，是优化电源转换和系统稳定性的理想半导体元件选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY50P02D商品编号
C3033438商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V,10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.4nF@15V |
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