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HXY80N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有30V额定电压和80A强大连续电流能力，专为高效能电源转换、大电流电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能与低损耗优势，满足高端消费电子设备需求。
- 商品型号
- HXY80N03D
- 商品编号
- C3033436
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |