HXY4812S
双N沟道,电流:6A,耐压:30V
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描述
此款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装,集成双通道设计,额定电压30V,连续电流6A。专为现代电子设备的高效电源转换、负载平衡及电池管理系统打造,提供紧凑、节能的半导体解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY4812S商品编号
C3033426商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@4.5V,5A | |
功率(Pd) | 2W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 310pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 50pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
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折扣价
原价
折合1圆盘
5+¥0.56297¥0.5926
50+¥0.454005¥0.4779
150+¥0.399475¥0.4205
500+¥0.35853¥0.3774
3000+¥0.30951¥0.3258¥977.4
6000+¥0.293075¥0.3085¥925.5
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
2,205
江苏仓
440
SMT仓
2,231
购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 5 个 )
个
起订量:5 个3000个/圆盘
近期成交5单
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