HXY4812S
2个N沟道 耐压:30V 电流:6A
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描述
此款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道设计，额定电压30V，连续电流6A。专为现代电子设备的高效电源转换、负载平衡及电池管理系统打造，提供紧凑、节能的半导体解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY4812S商品编号
C3033426商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 255pF@15V |
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