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HXY50N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，峰值电流高达50A。专为提升电源转换效率和开关性能设计，适用于各类电子设备，以强大的电流承载能力和卓越的能效表现，实现高效、稳定运行。
- 商品型号
- HXY50N06D
- 商品编号
- C3033430
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |