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HXY40P03D
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，具备强大40A电流承载能力。专为高性能、高效率的低压开关应用设计，适用于各类消费电子产品，提供卓越的电源转换效能与系统稳定性表现。
- 商品型号
- HXY40P03D
- 商品编号
- C3033433
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
HXY4832S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 10A
- VGS = 10V时，RDS(ON) < 12mΩ
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源