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HXY20N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，峰值电流可达20A，适用于高功率电子设备的电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能、低损耗的开关控制功能。
- 商品型号
- HXY20N10D
- 商品编号
- C3033434
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF@80V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
HXY4606S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 22mΩ
- VDS = -30V，ID = -5.5A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- SOP-8封装
- N沟道和P沟道