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HXY30N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 本款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装工艺，是一款强大的N沟道半导体器件，额定电压60V，峰值电流30A，专为优化电源转换效率和开关性能设计。其卓越的能效表现与稳定性，广泛应用于各类高要求电子设备中。
- 商品型号
- HXY30N06D
- 商品编号
- C3033431
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
HXY60N02D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 60 A
- RDS(ON) < 6 mΩ@ VGS = 4.5 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源