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HXY80N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用高效封装TO-252-2L，具备60V电压额定值及80A强大连续电流承载力。专为高性能消费电子产品设计，具有出色的开关效率和可靠性，是优化电源转换、提升系统能效的理想半导体器件选择。
- 商品型号
- HXY80N06D
- 商品编号
- C3033432
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY50N06D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源