温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXY20N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款消费级MOSFET采用先进的TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道器件，额定电压高达30V，持续电流容量为20A，适用于各类中低压开关电路，为电子产品提供高效、稳定的功率管理解决方案。
- 商品型号
- HXY20N03D
- 商品编号
- C3033428
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HXY4403S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -6A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源