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HXY9926S
2个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道技术，额定电压20V，连续电流6A。专为小型化、高效能电源转换和负载管理设计，适用于电池管理系统及多通道控制应用，提供节能、紧凑的半导体解决方案。
- 商品型号
- HXY9926S
- 商品编号
- C3033423
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
HXY4266S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 10A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源