HXY4842S
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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描述
此款高性能消费级MOSFET采用SOP-8封装，内置双N沟道技术，额定电压30V，峰值电流可达8.5A。适用于各种高效电源转换场景，如充电设备、智能家电及消费电子的开关与功率控制。具备低导通电阻和高速开关性能
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY4842S商品编号
C3033425商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 572pF@15V |
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