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HXY4842S
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 此款高性能消费级MOSFET采用SOP-8封装，内置双N沟道技术，额定电压30V，峰值电流可达8.5A。适用于各种高效电源转换场景，如充电设备、智能家电及消费电子的开关与功率控制。具备低导通电阻和高速开关性能
- 商品型号
- HXY4842S
- 商品编号
- C3033425
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HXY4480S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 14A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 24mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源