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HXY4822S
双N沟道,电流:8.5A,耐压:30V
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- 描述
- 卓越的消费级双N沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高效率电源转换设计。耐压30V，连续电流高达8.5A，适用于充电器、LED照明和家电节能控制等应用。其优秀的开关特性和低导通电阻确保了系统性能优越，节能效果显著，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 商品型号
- HXY4822S
- 商品编号
- C3033424
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HXY4953S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V，漏极电流ID = - 5.3A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关