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HXY4403S
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装，专为30V电压系统设计，提供6A连续电流处理能力。适用于电池保护、电源开关和负载控制等应用，具备低导通电阻与快速切换性能，确保在各类消费电子设备中实现高效能、稳定可靠的功率管理。
- 商品型号
- HXY4403S
- 商品编号
- C3033419
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
HXY4805S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关