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HXY4403S

1个P沟道 耐压:30V 电流:6A

描述
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装,专为30V电压系统设计,提供6A连续电流处理能力。适用于电池保护、电源开关和负载控制等应用,具备低导通电阻与快速切换性能,确保在各类消费电子设备中实现高效能、稳定可靠的功率管理。
商品型号
HXY4403S
商品编号
C3033419
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))43mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
输入电容(Ciss)520pF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)130pF

数据手册PDF