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HXY4832S
2个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道技术，额定电压30V，连续电流高达10A。专为高效电源转换、负载均衡及电池管理系统设计，具有高集成度和能效表现，满足现代电子产品多通道控制需求。
- 商品型号
- HXY4832S
- 商品编号
- C3033421
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
HXY4842S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 8.5A
- RDS(ON) < 19mΩ @ VGS = 4.5V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源