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HXY4480S
1个N沟道 耐压:40V 电流:14A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，具有40V的额定电压和高达14A连续电流。专为中等功率应用设计，适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，提供紧凑尺寸与卓越性能表现，满足现代电子设备高效节能需求。
- 商品型号
- HXY4480S
- 商品编号
- C3033420
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.92nF |
商品概述
HXY9926S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 25mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源