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STB22N60M6
N沟道,电流:15A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、196 mOhm典型值、15 A MDmesh M6功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB22N60M6
- 商品编号
- C2971304
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52.6pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 市场上导通电阻（RDS(on)）最低的产品之一
- 优值（FoM）出色
- 低Crss/Ciss比，具备抗电磁干扰（EMI）能力
- 雪崩耐量高
应用领域
- 开关应用