NVTFS4C02NWFTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:162A
- 描述
- 特性:低导通电阻(RDS(ON)),以最小化传导损耗。 低电容,以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗。 可选择可焊侧翼(NVTFS4C02NWF),以增强光学检测。 通过 AEC-Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准。应用:反向电池保护。 DC-DC 转换器输出驱动
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS4C02NWFTAG
- 商品编号
- C2902190
- 商品封装
- WDFN-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 162A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- NVTFS4C02NWF - 可焊侧翼选项,便于光学检测
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
-反接电池保护-直流-直流转换器输出驱动
- NXH006P120MNF2PTG
- SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB
- SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB
- SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB
- ADD5045-915-1-GEVK
- AX5045-1-TW30
- AXM0F343-256-1-TX40
- AXM0F343-256-868-1-GEVK
- AXM0F343-256-915-1-GEVK
- AXM0F343-64-1-TX40
- AXM0F343-64-868-1-GEVK
- AXM0F343-64-915-1-GEVK
- FAN251015MNTXG
- FAN251030MNTXG
- FAN251040MNTXG
- FAN53526UC224X
- FUSB3307D6MNWTWG
- FUSB3307D6VMNWTWG
- LV8961HUWR2GEVK
- NCD57084DR2G
- NCD57085DR2G
