NTH4LN040N65S3H
N沟道,电流:62A,耐压:650V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTH4LN040N65S3H
- 商品编号
- C2902232
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 132nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.513nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。因此,SUPERFET III FAST MOSFET适用于各类AC/DC电源转换,有助于实现系统小型化和更高效率。 Power88封装是一种超薄表面贴装封装(高度为1 mm),外形低矮,占用空间小(8 x 8 mm²)。采用Power88封装的SUPERFET III MOSFET由于具有较低的寄生源极电感以及独立的功率和驱动源,因而具备出色的开关性能。Power88封装的湿度敏感度等级为1级(MSL 1)。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 32 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 132 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 1267 pF)
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源-不间断电源/太阳能
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