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NTMTSC1D6N10MCTXG
1个N沟道 耐压:100V 电流:267A
- 描述
- 特性：小尺寸（8x8mm），便于紧凑设计。 低 RDS(on)，以最小化传导损耗。 低 QG 和电容，以最小化驱动损耗。 新型 Power 88 双散热封装。 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTSC1D6N10MCTXG
- 商品编号
- C2902300
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 267A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.26nF |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适用于紧凑型设计
- 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
- 新型Power 88双散热封装
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
- LLC半桥电路
- 充电器