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NTP082N65S3HF
N沟道, 40A, 650V
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP082N65S3HF
- 商品编号
- C2902302
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 70 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 81 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 722 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 电动汽车充电器
- 不间断电源/太阳能