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NTPF450N80S3Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
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- 描述
- 800 V SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能 MOSFET 产品系列，其击穿电压可达 800 V。全新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不影响 EMI 性能的前提下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提升了 ESD 能力
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTPF450N80S3Z
- 商品编号
- C2902304
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@0.24mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 885pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
MSK100N03DF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 100 A
- 在VGS=10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源