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NVMYS6D2N06CLTWG
N沟道 MOSFET,电流:71A,耐压:60V
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS6D2N06CLTWG
- 商品编号
- C2902308
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@53uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET适用于各种AC/DC电源转换，以实现系统小型化和更高效率。 Power88封装是一种超薄表面贴装封装（高度1 mm），外形低矮，占用空间小（8 x 8 mm²）。采用Power88封装的SUPERFET III MOSFET具有较低的寄生源极电感以及独立的电源和驱动源，因此具备出色的开关性能。Power88封装的湿度敏感度为1级（MSL 1）。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型RDS(on) = 108 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Q_g = 44 nC）
- 低有效输出电容（典型C_oss(eff.) = 379 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 不间断电源/太阳能