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NTP011N15MC
N沟道 MOSFET,电流:74.3A,耐压:150V
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- 描述
- 特性：屏蔽栅MOSFET技术。 最大RDS(on)=10.9 mΩ，VGS = 10 V，ID = 41 A。 比其他MOSFET供应商的Qrr低50%。 降低开关噪声/电磁干扰。 100% UIL测试。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：用于ATX/服务器/电信电源的同步整流。 电机驱动器和不间断电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP011N15MC
- 商品编号
- C2902301
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 840pF |
商品概述
MSK60N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在 VGS = 10 V、ID = 41 A 条件下,最大 RDS(on) = 10.9 m Ω
- 反向恢复电荷(Qrr)比其他MOSFET供应商的产品低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIL)测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
-用于ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器