NTMC083NP10M5L
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:3.6A
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- 描述
- 特性:小尺寸(5 x 6mm),适合紧凑设计。 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗。 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗。 该部件未进行静电放电保护。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准。应用:电动工具、电池供电的吸尘器。 无人机、物料搬运
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMC083NP10M5L
- 商品编号
- C2902235
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@28uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
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