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NTMC083NP10M5L实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMC083NP10M5L

1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:3.6A

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描述
特性:小尺寸(5 x 6mm),适合紧凑设计。 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗。 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗。 该部件未进行静电放电保护。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准。应用:电动工具、电池供电的吸尘器。 无人机、物料搬运
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMC083NP10M5L
商品编号
C2902235
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.27克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))83mΩ@10V,4.5A
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))4V@28uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.4nC@10V
输入电容(Ciss)525pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)88pF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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