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NTMC083NP10M5L
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:3.6A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5 x 6mm），适合紧凑设计。 低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。 低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗。 该部件未进行静电放电保护。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。 无人机、物料搬运
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMC083NP10M5L
- 商品编号
- C2902235
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品特性
- 小尺寸封装(5 x 6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 该器件未进行静电放电(ESD)保护
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),且符合RoHS标准
应用领域
-电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运设备-电机驱动、家居自动化