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FDBL9401-F085T6
1个N沟道 耐压:40V 电流:240A
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- 描述
- 特性：低 RDS(on)，以最小化传导损耗。 低 QG 和电容，以最小化驱动损耗。 通过 AEC-Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 小尺寸封装（TOLL），适合紧凑设计。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL9401-F085T6
- 商品编号
- C2902245
- 商品封装
- HPSOF-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.67mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@290uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 177pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.1nF |
商品特性
- 小尺寸封装（5 x 6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 该器件未进行静电放电（ESD）保护
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），且符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运设备-电机驱动、家居自动化