温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NCP51810AMNTWG

用于氮化镓功率开关的高速半桥驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP51810AMNTWG
商品编号: C2902266
商品封装: QFN-15(4.4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.062克(g)

商品参数

商品概述

NCP51810高速栅极驱动器专为满足中压半桥DC-DC应用中驱动增强型（e模式）高电子迁移率晶体管（HEMT）、氮化镓（GaN）功率开关的严格要求而设计。NCP51810采用先进的电平转换技术，提供短且匹配的传播延迟，为高端驱动提供 -3.5 V至 +150 V（典型值）的共模电压范围，为低端驱动提供 -3.5 V至 +3.5 V的共模电压范围。此外，在高速开关应用中，该器件的两个驱动器输出级的dV/dt额定值高达200 V/ns，可实现稳定的dV/dt操作。为全面保护GaN功率晶体管的栅极免受过高电压应力的影响，两个驱动级均采用专用稳压器，以精确维持栅源驱动信号幅度。该电路可主动调节驱动器的偏置轨，从而在各种工作条件下防止潜在的栅源过压。 NCP51810具备重要的保护功能，如独立的欠压锁定（UVLO），可监测VDD偏置电压以及VDDH和VDDL驱动器偏置，还具备基于器件管芯结温的热关断功能。可编程死区时间控制可配置为防止交叉导通。

商品特性

150 V集成高端和低端栅极驱动器
VDD高端和低端驱动器的欠压锁定（UVLO）保护
双TTL兼容施密特触发器输入
分离输出允许独立的导通/关断调整
源电流能力：1 A；灌电流能力：2 A
独立的高端（HO）和低端（LO）驱动器输出级
针对GaN器件优化的1 ns上升和下降时间
SW和PGND：高达3.5 V的负电压瞬变
所有SW和PGND参考电路的dV/dt额定值为200 V/ns
最大传播延迟小于50 ns
匹配传播延迟小于5 ns
用户可编程死区时间控制
热关断（TSD）

应用领域

驱动全桥或半桥、LLC、有源钳位反激或正激以及同步整流器拓扑中使用的GaN功率晶体管
48 V至12 V负载点（PoL）转换器、48 V至低压总线转换器、工业模块

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交7单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	2A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1A
	工作电压	9V~17V
	上升时间(tr)	2ns
	下降时间(tf)	1ns
	工作温度	-40℃~+125℃